FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。
功能比较
| FRAM | EEPROM | FLASH | SRAM | |
| 内存类型 | 非挥发性 | 非挥发性 | 非挥发性 | 易挥发的 |
| 写法 | 覆盖 | 擦除 + 写入 | 擦除 + 写入 | 覆盖 |
| 写周期时间 | 150ns | 5ms | 10µs | 55ns |
| 读/写周期 | 1013 | 106 | 105 | 无限 |
| 升压电路 | No | Yes | Yes | No |
| 数据备份电池 | No | No | No | Yes |
串行FRAM与EEPROM/闪存
与传统的非易失性存储器如EEPROM和Flash相比，FRAM具有写入速度更快、耐用性更高和功耗更低的优势。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有优势；
性能改进
由于写入速度快，即使在突然断电的情况下，铁电存储器也能以写入方式存储数据。不仅如此，FRAM可以比EEPROM和Flash存储器更频繁地记录数据。写入数据时，EEPROM和闪存需要高电压，因此比FRAM消耗更多功率。因此，通过使用FRAM，可以延长电池供电的小型设备的电池寿命。
总之，FRAM是；
·能够在突然断电时以写入方式存储数据
·可以进行频繁的数据记录
·能够延长电池供电设备的电池寿命
总成本降低
在工厂对每个产品进行参数写入的情况下，铁电存储器有助于降低制造成本，因为与EEPROM和闪存相比，FRAM可以缩短写入时间。此外，FRAM可以给您一个芯片解决方案，而不是多芯片解决方案，例如2个芯片由EEPROM+Flash组成，或者3个设备由EEPROM+SRAM+电池组成。
·缩短出厂参数写入时间
·减少最终产品中使用的零件数量
并行FRAM与SRAM
具有并行接口的铁电存储器，兼容电池备份SRAM，可以替代SRAM。通过将SRAM替换为FRAM，客户希望获得以下优势。
总成本降低
使用SRAM的系统需要保持电池状态检查。通过更换为FRAM，客户可以从电池检查的维护负担中解脱出来。此外，FRAM不需要SRAM所需的电池插座和防回流二极管及其空间。FRAM的单芯片解决方案可以减少空间和成本。
·免维护；无需更换电池
·设备小型化；可以减少最终产品的许多零件
环保产品
废旧电池成为工业废弃物。通过用FRAM替换SRAM+电池，可以减少不必要的备用电池。
