FRAM铁电随机存储器是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电存储器。FRAM能保持数据，不仅不需要备用电池，而且在写入、读写耐久性和功耗性能方面具有相当优越性。 FRAM产品可分为两个系列。分别是以SOP/SON等封装产品形式提供的“独立存储器”和FRAM内置的RFID用LSI以及验证LSI等的“FRAM内置LSI”。 根据客户要求开发和供应最大限度发挥应用优势及性能的FRAM内置定制LSI。 富士通开发出了能够以54Mbyte/秒的速度传输数据。在Quad SPI接口非易失性RAM市场里最大容量的MB85RQ4ML 4Mbit FRAM。
速度传输数据对比
MB85RQ4ML是采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为524,28个8字X 8位。采用四路串行外设接口（QSPI），可使用四个双向引脚（四路I / O）实现高带宽，例如以54 MB/s的速度进行读写。 MB85RQ4ML能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。能够在没有任何等待时间的情况下以高带宽写入数据，并且非常适合网络，游戏，工业计算，相机，RAID控制器 MB85RQ4ML采用1.8V的独立电源，Quad SPI接口，并以108MHz的动作频率实现了54Mbyte/秒的数据传输。在富士通的传统产品中，具有16bit输入输出引脚的44引脚的并行接口的4Mbit FRAM的最快，为13Mbyte/秒，而本产品以较少的引脚实现了相当于4倍速度的数据读写。 因为具有高速动作及非易失性的特点，所以MB85RQ4ML成为网络、RAID控制器、工业计算领域的最佳选择。
