| Teledyne DALSA半导体的150毫米CCD工艺具有两或三层的晶硅层和一，二或三层金属层, 提供高达15V的表面或埋沟操作. 模块化的处理方法，使我们的代工客户可以通过调整工艺参数来满足最苛刻的要求, 比如CTE（99.999％），储存电荷的能力，并暗电流（<1nA/cm2）。基础工艺使用1X投影光刻与2.5μm的设计规则，最多允许管芯尺寸为100mm×100mm的。如需要更严格的对准公差和更小的特征尺寸可以使用5倍光刻，使用混合使用和匹配或全部步进的方法。使用步进可达到最大晶片尺寸 22毫米x 22毫米，要达到更大的传感器可以采用拼接。 我们的CCD技术可广泛调谐; p或n-型，散装或epi起始原料的电阻率可以在宽范围内定义，包括浮区硅可到10kΩ每厘米。可以添加客户指定埋通道和障碍植入适合自己的应用，通道停止，防晕染植入物或其他特殊功能。在已成功的项目中包括抗辐射PMOS的CCD，和世界上分辨率最高的单片器件-像素超过2.5亿像素。 |
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典型应用包括工业和科学，包括航空和卫星成像。Teledyne DALSA的机器视觉事业部的众多业界领先的工业级数码相机使用的图像传感器使用了可自定义变量的该工艺。美国航空航天局的喷气推进实验室选择Teledyne DALSA的图像传感器用于建造好奇号火星探测车，之前的勇气号和机遇流浪者。 为了支持我们所有客户的定制CCD工艺中，我们提供了一系列服务，从光掩膜制造到完整的器件特性定义。 |
Teledyne DALSA半导体经营的CCD晶圆代工服务是独立于其它任何DALSA公司业务单位之外的事业部。我们可以保证客户信息和数据的保密性。
设计规则
*Wet metal etch option.
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CCD的工艺流程
