【1月产业新讯】存储行业市场动向早知道

   日期:2021-01-14     浏览:125    评论:0    
核心提示:时间飞逝,2021年1月份即将过半。复盘2020年,对于存储行业而言,可谓风波不断,从前期个人消费端需求下滑,居家办公服务器猛增,到后期的管控、停电、产能紧张、材料涨价等问题突显,再加上新能源汽车、5G通讯手机全面普及等新的需求正在爆发。2021年开局,让我们先来关注下存储大厂都有哪些新动向呢?:三星2021年将专注于闪存和晶圆代工技术的升级,以及产能扩张,其中包括量产第七代V-NAND的176层3D NAND,和扩大极紫外线(EUV)的生产能力,以此应对5nm和3nm晶圆代工的强劲需求。:Western

时间飞逝,2021年1月份即将过半。复盘2020年,对于存储行业而言,可谓风波不断,从前期个人消费端需求下滑,居家办公服务器猛增,到后期的管控、停电、产能紧张、材料涨价等问题突显,再加上新能源汽车、5G通讯手机全面普及等新的需求正在爆发。

2021年开局,让我们先来关注下存储大厂都有哪些新动向呢?

:三星2021年将专注于闪存和晶圆代工技术的升级,以及产能扩张,其中包括量产第七代V-NAND的176层3D NAND,和扩大极紫外线(EUV)的生产能力,以此应对5nm和3nm晶圆代工的强劲需求。

:Western Digital将在2021年增加闪存的容量。预计BiCS5 112层的产品在今年也将更为普及。

:SK海力士已宣布其最新一代的3D NAND具有176层电荷陷阱快闪存储器(Charge Trap Flash Memory)。SK海力士计划于明年中开始将其176L NAND导入移动装置产品。

:美光最近推出世界首款176层的闪存产品。与其他顶级的DRAM制造商一样,该公司正在生产第三代10奈米(1z)的产品。同时,美光预计在2021上半年推出第四代(1a)的DRAM。

:2021年KIOXIA和WD预期将把重心移往采用新一代分离栅(Split Gate)架构的160层技术。这种新的装置有可能是在彼此顶部堆栈两个80层的结构,从而形成一个160层的装置。

:Intel发表了三款采用144层单元存储器的新型SSD。这为TLC和QLC将成为高容量驱动器的主流技术,树立了新的里程碑。

价格:Q1消费级SSD价格预期将会下降,企业级SSD价格也预期下降;

供给:控制器的交期将拉长,另外由于产能紧缩,价格预期将上涨。

尽管整个闪存市场目前仍供过于求的局面,但由于控制器IC产出不足、中低密度eMMC供应紧缩,因此,价格可能会上涨。控制器IC价格的上涨将导致eMMC解决方案的固定成本也随之增加。反过来看,这将给正在采购零组件的OEM厂商带来不小压力。随着这种情况转为现实,需求量高的eMMC价格在今年Q1可能会小幅上涨,例如,适用于Chromebook的32GB和64GB eMMC。

根据TrendForce的最新调查显示,上游半导体行业,台积电和联电等主要代工厂产能满载;而下游OSAT可用的产能也不足。在这种情况下,诸如Phison和Silicon Motion等闪存控制器IC厂商,现在都无法满足客户的需求。由于闪存与内存供货商之间的Q1合同谈判正处于关键时刻,许多控制器IC厂商不仅对新订单暂停报价,甚至还考虑尽快调涨价格。目前估计委外厂(IC设计公司)控制器IC的潜在涨价幅度为15%至20%。

由于中国政府在2020年大力推行5G商业化,全球整年5G手机的产量高达约2.4亿台,渗透率达19%,其中中国品牌就有近60%的市占率。5G今年仍将是智能手机市场的主要话题,许多国家/地区也将恢复5G基础设施建设,而且移动处理器制造商也将继续推出入门款和中阶的5G芯片。因此,预计2021年5G智能手机的渗透率将快速增至37%,年产量约5亿台。

满足率:供过于求的情况将持续到2021上半年,预期自2021年Q3起将供不应求

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以容量分析消费级SSD的发展(2019-2024):128GB在2021年将被快速淘汰

(点击查看大图)

2020年Q4与2021年供需满足率

在内存应用上, 智能手机仍占较高比例,另外服务器的需求在2021年将略微提升;

2021年内存的应用主要着重在5G和边缘运算,因此服务器内存的成长可期;

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内存1Gb IC 2020/2021价格预测

内存满足率: 供不应求

库存: 紧张

价格走势: 持续上扬

2020年12月起,供给开始严重短缺,价格也随之上涨。预计这种情形预期将持续2021一整年。

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