Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100 ...

   日期:2021-01-11     浏览:94    评论:0    
核心提示:日前,Vishay Intertechnology, Inc。(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件,而且10 V条件下其导通电阻仅为30 m,达到业内优异水平。日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2P

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件,而且10 V条件下其导通电阻仅为30 m,达到业内优异水平。

日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比,导通电阻分别降低26 %和46 %,占位面积分别减小50 %和76 %。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功耗,从而节省能源,10 V条件下优异的栅极电荷仅为45 nC,减少栅极驱动损耗。

这款新型MOSFET可在+175°C高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJ211ELP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。

器件100 V额定值满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外,作为p沟道MOSFET,SQJ211ELP可简化栅极驱动设计,无需配置n沟道器件所需电荷泵。 MOSFET采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100 % Rg和UIS测试。

SQJ211ELP现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。

The DNA of techÔ是Vishay Intertechnology的商标。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司注册商标。

 
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