FLASH工作流程

写数据流程：Flash解锁——擦除扇区——写数据到指定空间——上锁写保护；
读数据流程：从指定地址读出指定长度数据。

源文件flash.c写法

STMFLASH_GetFlashSector函数用于判断写入的起始地址在哪个扇区，返回所在扇区，之后对该扇区进行擦除等操作。

uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr)
{ 
	return *(__IO uint32_t*)faddr; 
}


uint8_t STMFLASH_GetFlashSector(uint32_t addr)
{ 
	if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_SECTOR_7;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_SECTOR_8;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_SECTOR_9;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_SECTOR_10;   
	return FLASH_SECTOR_11;	
}

写入函数需要用的是HAL库，解锁之前首先定义结构体，并判断写入地址是否合法。之后进行解锁，擦除掉对应的扇区并进行写入，擦除是一次擦除一个扇区，写入是一个数一个数写入，最后进行上锁。
读出函数的起始地址要和之前写入的地址一致，之后存入定义的数组中。
上面两个函数的输入分别为起始地址，要读写的数组以及数组内数的个数。

void STMFLASH_Write(uint32_t Addr,uint32_t *pBuffer,uint32_t Num)	
{  
	FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
	HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
	uint32_t SectorError=0;
	uint32_t addrx=0;
	uint32_t endaddr=0;	
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;	//非法地址
    
	HAL_FLASH_Unlock();             //解锁 
	addrx=WriteAddr;				//写入的起始地址
	endaddr=WriteAddr+Num*4;	//写入的结束地址
    
	if(addrx<0x080C1000)
	{ 
		while(addrx<endaddr)		
		{ 
			 if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0xFFFFFFFF)			{    
				FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除 
				FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
				FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
				FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
				if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK) 
				{ 
					break;//发生错误了 
				}
				}else addrx+=4;
				FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
		}
	}
	FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //等待上次操作完成
	if(FlashStatus==HAL_OK)
	{ 
		 while(WriteAddr<endaddr)//写数据
		 { 
			if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
			{  
				break;	//写入异常
			}
			WriteAddr+=4;
			pBuffer++;
		}  
	}
	HAL_FLASH_Lock();           //上锁
} 

void STMFLASH_Read(uint32_t Addr,uint32_t *pBuffer,uint32_t size)   	
{ 
	uint32_t i;
	for(i=0;i<size;i++)
	{ 
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
		ReadAddr+=4;//偏移4个字节. 
	}
}

头文件flash.h

这里的11个扇区分别对应这STM32F407的主寄存器的扇区。

#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH的起始地址
#define FLASH_WAITETIME 50000 //FLASH等待超时时间

//FLASH 扇区的起始地址
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) //扇区0起始地址, 16 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) //扇区1起始地址, 16 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) //扇区2起始地址, 16 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) //扇区3起始地址, 16 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000) //扇区4起始地址, 64 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000) //扇区5起始地址, 128 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) //扇区6起始地址, 128 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000) //扇区7起始地址, 128 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000) //扇区8起始地址, 128 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000) //扇区9起始地址, 128 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000) //扇区10起始地址,128 Kbytes 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000) //扇区11起始地址,128 Kbytes 

uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr);		  	//读出字 
void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite);		//从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToRead);   		//从指定地址开始读出指定长度的数据

main函数应该添加的

在断电的时候将你要保存的6个数写入到该地址，注意这个地址是要在你上方定义的那11个地址的范围内，如果超出，擦除的扇区就检测不对，无法正常写入。再就是该地址需要是空闲的地址，不能影响程序的正常工作。（要存的这6个数是8位的，被强制转为32位写入）

       if（掉电）
       { 
         uint8_t TEXT[6];
         TEXT[0] = Set_A;;
		 TEXT[1] = Set_B;
		 TEXT[2] = Set_C;
 		 TEXT[3] = Set_E;
		 TEXT[4] = Set_F;
		 TEXT[5] = Set_G;	
     STMFLASH_Write(0x800C0000,(uint32_t*)TEXT,6);
     }

读出的地址注意要与写入地址相同，再一个就是我们读出的这六个数都是32位的，而我们需要的数是8位的，因此这里加上uint8_t强制转为32位的，这样就可以正常工作，实现掉电保存。

		if（上电）
		{ 
		 uint8_t INXT[6];
		 STMFLASH_Read(0x800C0000,(uint32_t*)INXT,6);
		 uint8_t Set_A = INXT[0];
		 uint8_t Set_B = INXT[1];
		 uint8_t Set_C = INXT[2];
 		 uint8_t Set_E = INXT[3];
		 uint8_t Set_F = INXT[4];
		 uint8_t Set_G = INXT[5];
		 } 

新手小结

本人这是第一次写博客，写这篇主要是因为自己用HAL库写掉点保存的时候在网上总是查不到比较全的方法，自己东拼西凑最后也实现了这个功能，可能里面也有许多写的很粗糙的地方，希望各位大大批评指正，也希望我这篇文章能帮到跟我一样用HAL库写掉电保存很难受的问题，O(∩_∩)O~。