日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模块（额定1200V/100A）开始投入量产。此产品安装在工业设备和太阳能电池等中负责电力转换的变频器、转换器上。
该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）构成，与普通的Si（硅）材质的IGBT模块相比，具备开关损耗降低85％ ，与传统的400A级别的Si-IGBT模块相替换时，体积减小约50％，损耗低，因此发热少，可减小冷却装置体积，从而可实现设备整体的小型化优势，有效解决了世界能源和资源等地球环境问题。本产品计划在罗姆总部工厂（京都市）从3月份下旬开始量产、出货。
近年来，在工业设备和太阳能电池、电动汽车、铁路等电力电子技术领域，与Si元件相比，电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待。根据估算，将传统的Si半导体全部替换为SiC后的节能效果，仅在日本国内就相当于4座核电站的发电量※2，因此，各公司都已强化了相关研究开发。与此同时，关于“全SiC”模块，即所内置的功率元件全部将Si替换为SiC，多年来，虽然全世界的制造商多方试制，但在可靠性上存在诸多课题，一直无法实现量产。在这种背景下，罗姆于2010年在世界上率先成功实现了SiC-SBD和SiC-MOSFET两种SiC元件的量产，在行业中遥遥领先。
